第一步是把碳纳米管提纯到99.9999%，俗称6个9的纯度之后，得到半导体碳纳米管，只有这个纯度或者以上的碳纳米管才有可能用于集成电路。
第二步则是要在晶圆上面亮度地排列碳纳米管。
这一步国内使用的方法是维度限制自组装方法，先是把上一步提纯出来的碳纳米管分散在三氯乙烷里，随后再在分散液上滴上丁烯二醇，丁烯二醇会在三氯乙烷表面形成一个不互融的薄层。由于上一步提纯步骤在碳纳米管表面包裹了一层高分子，所以碳纳米管会在丁烯二醇和三氯乙烷的界面上平行排列。
这时再把竖插在溶液中的晶圆缓缓垂直拉起，液体的表面张力会把这些碳纳米管平行地拉到晶圆上面，一微米的空间里面，甚至能够放下多达二百根碳纳米管。
接下来再给碳纳米管两边增加源漏电极和门电极，把它真正变成一个晶体管，这些都需要用到光刻技术这些微加工技术。
可领！
是的，目前的碳基芯片还是一样需要使用光刻及电子束刻蚀等技术，才能得到纳米级的电子图形。
并没有一些人想象的那么轻松，换了一种材料就可以甩开一切束缚。
因为这种微观层面的加工能力是芯片所必须的。
哪怕不用光刻机，也会有暗刻机、明刻机……
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