并将继续支撑集成电路制造技术延续到3纳米和2纳米的全环绕栅极晶体管技术。
然而，由于栅氧层对场效应晶体管性能的直接影响，这道工艺制程对ald设备的要求极高。
全球范围内也只有极少数国外的知名半导体设备公司能够提供满足此工艺要求的ald设备。
此项技术因此也处于被绝对垄断的状态。
拓棘科技的技术团队克服了重重困难，经过多年的潜心钻研和大量的实验验证，终于突破了限制该工艺制程的多个技术瓶颈，成功开发出了可用于沉积high-?栅氧层薄膜的新一代ald量产设备。
然而，这些设备却卖不出去。
只有少部分郑府侧的需求方下了点订单。
原因非常的简单，那就是它质量和性能比不上进口设备。
而且，由于技术成本的缘故，它价格还不比进口的便宜。
这就非常的尴尬了。
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